拥有着半导体产业链的三星电子，在闪存颗粒的研制上也有着相当的实力。作为业界第一个研发出3D-NAND技术并将之应用于固态硬盘上的厂商

第四代V-NAND技术

三星作为3D-NAND技术的鼻祖，一直都在研发更加可靠实用的3D NAND产品。而在此次峰会上，三星也推出了让人期待依旧的第四代V-NAND技术。

第四代3D V-NAND立体堆叠技术最大的特点就是层数的增加以及容量的增加，层数上，由第三代的48层增至64层；容量上，单晶粒最大容量512Gb(64GB)，依旧支持TLC颗粒，同时IO接口传输速度也提高到了800Mbps。

基于此新技术，三星可以在单颗芯片封装内，做到1TB容量，甚至是13×11.5毫米的单芯片BGA SSD都能做到1TB。

对标intel，推出“Z-NAND”技术

除了研发的新一代的V-NAND技术，三星还宣布了新的“Z-NAND”闪存技术、新的主控。据悉，新的“Z-SSD”硬盘，将介于传统SSD和内存之间，性能高于传统NVMe、PRAM SSD，延迟则类似后者，能效也更高。

而从新闻稿看，Z-NAND并不是Intel、美光搞的那种混合式3D XPoint，因为其基本结构和V-NAND是相通的，只不过加入了特殊电路和主控设计，实现性能最大化。

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